| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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2N6661
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR N沟道增强型MOS晶体管 |
晶体 晶体管 | ||
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2N6661
中文翻译 品牌: SUPERTEX |
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs N沟道增强型垂直DMOS场效应管 |
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2N6661
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
TMOS SWITCHING FET TRANSISTORS TMOS开关FET晶体管 |
晶体 开关 晶体管 | |||
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2N6661
中文翻译 品牌: VISHAY |
N-Channel 80-V and 90-V (D-S) MOSFETS N沟道80 V和90 V（D -S ）的MOSFET |
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2N6661
EDA模型
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
2N6661 is an enhancement-mode (normally-off) transistor that utilizes a vertical DMOS structure an | |||
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2N6661
中文翻译 品牌: TTELEC |
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET | ||||
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2N6661
中文翻译 品牌: NJSEMI |
TMOS SWITCHING TRANSISTOR TMOS开关晶体管 |
晶体 开关 晶体管 | |||
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2N6661
中文翻译 品牌: DIGITRON |
Polarity : N Channel; Type : Enhancement; Power Dissipation : 6.25; Maximum Drain-Source Voltage : | ||||
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2N6661
中文翻译 品牌: SENSITRON |
NCH | ||||
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2N6661-2
中文翻译 品牌: VISHAY |
N-Channel 90 V (D-S) MOSFET N沟道90 V（ D- S）的MOSFET |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 | ||
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2N6661B-2
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 90V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AD, TO-39, 3PIN | 脉冲 晶体管 | |||
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2N6661CSM4
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET N沟道增强型MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | ||
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2N6661DCSM
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
DUAL N–CHANNEL ENHANCEMENT MODE 双N沟道增强模式 |
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2N6661JANTX
中文翻译 品牌: VISHAY |
N-Channel 90 V (D-S) MOSFET N沟道90 V（ D- S）的MOSFET |
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2N6661JANTXV
中文翻译 品牌: VISHAY |
N-Channel 90 V (D-S) MOSFET N沟道90 V（ D- S）的MOSFET |
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2N6661JTVP02
中文翻译 品牌: VISHAY |
19500/547 JANTXV2N6661P WITH PIND | 开关 晶体管 | ||
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2N6661M1A
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET N沟道增强型功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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2N6661N2
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
2N6661N2 | ||||
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2N6661_10
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET N沟道增强型功率MOSFET |
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2N6661_11
中文翻译 品牌: VISHAY |
N-Channel 90 V (D-S) MOSFET N沟道90 V（ D- S）的MOSFET |
Total:201
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