| 型号起始： | IRF135* (2) IRF135B* (1) IRF135S* (1) |
| 所属品牌： | 不限 INFINEON(2) |
| 功能分类： | 不限 |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRF135B203
中文翻译 品牌: INFINEON |
The IR MOSFET™ family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various application | |||
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IRF135S203
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor | |||
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IRF135SA204
中文翻译 品牌: INFINEON |
漏源电压Vdss(V):135 V ;额定电流Id(A):160A（Tc） ;最大导通阻抗Ron(mΩ):5.9 毫欧 @ 96A，10V ;类型:N通道;栅极电荷Qg(nC):315 nC @ | 栅 栅极 |
Total:31
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