| 型号等于： | IRF7313TR (3) |
| 型号起始： | IRF7313T* (5) IRF7313TR* (5) |
| 所属品牌： | 不限 INFINEON(3) UMW(1) VBSEMI(1) |
| 功能分类： | 不限 晶体(1) 晶体管(1) 功率场效应晶体管(1) 开关(1) 脉冲(1) 光电二极管(1) 局域网(1) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRF7313TR
中文翻译 品牌: VBSEMI |
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IRF7313TR
中文翻译 品牌: UMW |
种类:N+N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:6.5A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:29mΩ@10V | ||||
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IRF7313TR
中文翻译 品牌: INFINEON |
最小工作温度(℃):0;最大工作温度(℃):; | ||||
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IRF7313TRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Generation V Technology 第五代技术 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 光电二极管 局域网 | ||
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IRF7313TRPBF-1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor |
Total:51
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