| 型号等于： | IRF7343TR (2) |
| 型号起始： | IRF7343T* (4) IRF7343TR* (4) |
| 所属品牌： | 不限 INFINEON(2) UMW(1) VBSEMI(1) |
| 功能分类： | 不限 晶体(2) 晶体管(2) 功率场效应晶体管(1) 开关(2) 脉冲(2) 光电二极管(2) 局域网(1) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRF7343TR
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 55V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SO-8 | 晶体 晶体管 开关 脉冲 光电二极管 局域网 | ||
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IRF7343TR
中文翻译 品牌: UMW |
种类:N+P-Channel;漏源电压（Vdss）:N: 55V P：-55V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:N: 4.7A ;P：-3.4A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:N:50mΩ ;P：90mΩ@10V | ||||
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IRF7343TRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
generation v technology 第五代技术 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 光电二极管 | ||
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IRF7343TRPBF
中文翻译 品牌: VBSEMI |
元器件封装:8-SOIC; |
Total:41
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