品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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FP2500070
中文翻译 品牌: DIODES |
25MHz±10ppm晶体10pF4-SMD,无引线 | 晶体 | |||
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FP250UF
中文翻译 品牌: VMI |
High Voltage Rectifier Stacks 高压整流栈 |
高压 | |||
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FP25F
中文翻译 品牌: VMI |
High Voltage Rectifier Stacks 高压整流栈 |
整流二极管 测试 高压 | |||
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FP25F
中文翻译 品牌: NJSEMI |
RECTIFIER STACKS 2.2 A FORWARD CURRENT 3000 NS RECOVERY TIME | ||||
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FP25R12KE3
中文翻译 品牌: EUPEC |
IGBT-Module IGBT -模块 |
晶体 晶体管 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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FP25R12KE3
中文翻译 品牌: INFINEON |
EconoPIM™ 2 1200 V 25A 三相PIM IGBT模块,具有第三代IGBT和NTC 温度检测 | 局域网 栅 双极性晶体管 | ||
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FP25R12KE3BOSA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-24 | 局域网 栅 晶体管 | ||
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FP25R12KE3V1
中文翻译 品牌: ETC |
IGBT Module
IGBT模块\n |
双极性晶体管 | |||
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FP25R12KS4C
中文翻译 品牌: INFINEON |
EconoPIM? 2 1200 V三相PIM IGBT模块,采用支持高频开关的第二代快速沟槽栅/场终止IGBT和NTC 温度检测 | 开关 栅 双极性晶体管 | ||
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FP25R12KS4CBOSA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-24 | 局域网 栅 晶体管 | ||
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FP25R12KS4CV2
中文翻译 品牌: ETC |
IGBT Module
IGBT模块\n |
双极性晶体管 | |||
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FP25R12KT3
中文翻译 品牌: EUPEC |
IGBT-inverter IGBT逆变器 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 PC 局域网 | |||
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FP25R12KT3
中文翻译 品牌: INFINEON |
EconoPIM™ 2 1200 V、25 A 三相 PIM IGBT 模块,采用快速 TRENCHSTOP™ IGBT3 芯片和 NTC温度传感器。集成了整流器和制动斩波器的 PIM(功率集成模块)可节省系统成本。OTM模块可使用 Econo 2 和 Econo 3 封装,同时具有可焊接引脚。 | 局域网 PC 栅 斩波器 温度传感 双极性晶体管 功率控制 传感器 温度传感器 | ||
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FP25R12KT4
中文翻译 品牌: INFINEON |
EconoPIM?2 module with trench/feldstopp IGBT4 and emitter controlled 4 diode EconoPIM ™ 2模块沟/ feldstopp IGBT4和发射极控制二极管4 |
晶体 二极管 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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FP25R12KT4B11BOSA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor | 栅 | ||
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FP25R12KT4B15BOSA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-24 | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | ||
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FP25R12KT4BOSA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, MODULE-23 | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | ||
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FP25R12KT4_B11
中文翻译 品牌: INFINEON |
PressFIT | |||
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FP25R12KT4_B15
中文翻译 品牌: INFINEON |
EconoPIM2 module with Trench/Fieldstopp IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode EconoPIM2模块海沟/ Fieldstopp IGBT4和发射极控制二极管4 |
晶体 二极管 晶体管 功率控制 双极性晶体管 局域网 | ||
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FP25R12N2T7
中文翻译 品牌: INFINEON |
EconoPIM? 2?1200 V, 25 A three phase PIM IGBT module with TRENCHSTOP? IGBT7, Emitter Controlled 7 diode and NTC. The PIM (Power Integrated Modules) wi | 双极性晶体管 | |||
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FP25R12U1T4
中文翻译 品牌: INFINEON |
SmartPIM module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT / NTC SmartPIM模块海沟/场终止IGBT 4和发射极控制二极管4和压接/ NTC |
二极管 双极性晶体管 | ||
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FP25R12U1T4BPSA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
元器件封装:模块; | |||
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FP25R12W1T7
中文翻译 品牌: INFINEON |
EasyPIM™ 1B 1200 V, 25 A集成三相输入整流器PIM(功率集成模块)IGBT模块,采用TRENCHSTOP™ IGBT7、第7代发射极控制二极管,内置NTC。另外还提供PressFIT压接工艺的版本。 | 双极性晶体管 二极管 | |||
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FP25R12W1T7B11BPSA1
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, | 栅 | |||
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FP25R12W1T7_B11
中文翻译 品牌: INFINEON |
PressFIT | ||||
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FP25R12W2T4
中文翻译 品牌: INFINEON |
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter IGBT - Wechselrichter / IGBT逆变器 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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FP25R12W2T4B11BOMA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 39A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35 | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | ||
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FP25R12W2T4BOMA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 39A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35 | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | ||
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FP25R12W2T4ENG
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, | 晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | |||
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FP25R12W2T4P
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, | 晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 |