| 型号起始： | FP25R12W* (14) FP25R12W1* (3) FP25R12W2* (11) |
| 所属品牌： | 不限 INFINEON(14) |
| 功能分类： | 不限 局域网(7) 栅(8) 功率控制(7) 晶体管(7) 晶体(3) 双极性晶体管(6) 二极管(2) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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FP25R12W1T7
中文翻译 品牌: INFINEON |
EasyPIM™ 1B 1200 V, 25 A集成三相输入整流器PIM（功率集成模块）IGBT模块，采用TRENCHSTOP™ IGBT7、第7代发射极控制二极管，内置NTC。另外还提供PressFIT压接工艺的版本。 | 双极性晶体管 二极管 | |||
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FP25R12W1T7B11BPSA1
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, | 栅 | |||
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FP25R12W1T7_B11
中文翻译 品牌: INFINEON |
PressFIT | ||||
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FP25R12W2T4
中文翻译 品牌: INFINEON |
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter IGBT - Wechselrichter / IGBT逆变器 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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FP25R12W2T4B11BOMA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 39A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35 | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | ||
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FP25R12W2T4BOMA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 39A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35 | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | ||
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FP25R12W2T4ENG
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, | 晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | |||
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FP25R12W2T4P
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, | 晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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FP25R12W2T4PB11BPSA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 39A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35 | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | ||
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FP25R12W2T4PBPSA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 39A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35 | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | ||
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FP25R12W2T4P_B11
中文翻译 品牌: INFINEON |
TIM | |||
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FP25R12W2T4_B11
中文翻译 品牌: INFINEON |
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values IGBT - Wechselrichter / IGBT逆变器Höchstzulässige Werte /最大额定值 |
双极性晶体管 | ||
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FP25R12W2T7
中文翻译 品牌: INFINEON |
EasyPACK??2B 1200 V,?25 A?PIM?IGBT模块，采用TRENCHSTOP? IGBT7、第7代发射极控制二极管，内置NTC。 | 双极性晶体管 二极管 | |||
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FP25R12W2T7_B11
中文翻译 品牌: INFINEON |
PressFIT |
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