型号起始：	P2V2* (10) TFS1* (1) VG26* (20) VG36* (45) VG37* (1) VG46* (24)
所属品牌：	不限 VML(101)
功能分类：	不限动态存储器(19) 内存集成电路(13) 光电二极管(7) 时钟(4) 过滤器(1)

VML - 型号起始; 总记录数：101

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		P2V28S20ATP-7 中文翻译品牌: VML	128Mb SDRAM Specification 128Mb的SDRAM规格	动态存储器
		P2V28S20ATP-75 中文翻译品牌: VML	128Mb SDRAM Specification 128Mb的SDRAM规格	动态存储器
		P2V28S20ATP-8 中文翻译品牌: VML	128Mb SDRAM Specification 128Mb的SDRAM规格	动态存储器
		P2V28S20DTP-7 中文翻译品牌: VML	128Mb SDRAM Specification 128Mb的SDRAM规格	动态存储器
		P2V28S30ATP-7 中文翻译品牌: VML	128Mb SDRAM Specification 128Mb的SDRAM规格	动态存储器
		P2V28S30ATP-75 中文翻译品牌: VML	128Mb SDRAM Specification 128Mb的SDRAM规格	动态存储器
		P2V28S30ATP-8 中文翻译品牌: VML	128Mb SDRAM Specification 128Mb的SDRAM规格	动态存储器
		P2V28S40ATP-7 中文翻译品牌: VML	128Mb SDRAM Specification 128Mb的SDRAM规格	动态存储器
		P2V28S40ATP-75 中文翻译品牌: VML	128Mb SDRAM Specification 128Mb的SDRAM规格	动态存储器
		P2V28S40ATP-8 中文翻译品牌: VML	128Mb SDRAM Specification 128Mb的SDRAM规格	动态存储器
		TFS150N 中文翻译品牌: VML	Filter specification 过滤器规格	过滤器
		VG26S17400EJ-5 中文翻译品牌: VML	4,194,304 x 4 - Bit CMOS Dynamic RAM 4194304 ×4 - 位CMOS动态RAM
		VG26S17400EJ-6 中文翻译品牌: VML	4,194,304 x 4 - Bit CMOS Dynamic RAM 4194304 ×4 - 位CMOS动态RAM
		VG26S17400FJ-5 中文翻译品牌: VML	4,194,304 x 4 - Bit CMOS Dynamic RAM 4194304 ×4 - 位CMOS动态RAM
		VG26S17400FJ-6 中文翻译品牌: VML	4,194,304 x 4 - Bit CMOS Dynamic RAM 4194304 ×4 - 位CMOS动态RAM
		VG26S17405J-5 中文翻译品牌: VML	4,194,304 x 4 - Bit CMOS Dynamic RAM 4194304 ×4 - 位CMOS动态RAM
		VG26S17405J-6 中文翻译品牌: VML	4,194,304 x 4 - Bit CMOS Dynamic RAM 4194304 ×4 - 位CMOS动态RAM	内存集成电路光电二极管动态存储器
		VG26S18165CJ-5 中文翻译品牌: VML	1,048,576 x 16 - Bit CMOS Dynamic RAM 1,048,576 ×16 - 位CMOS动态RAM
		VG26S18165CJ-6 中文翻译品牌: VML	1,048,576 x 16 - Bit CMOS Dynamic RAM 1,048,576 ×16 - 位CMOS动态RAM
		VG26V17400EJ-5 中文翻译品牌: VML	4,194,304 x 4 - Bit CMOS Dynamic RAM 4194304 ×4 - 位CMOS动态RAM
		VG26V17400EJ-6 中文翻译品牌: VML	4,194,304 x 4 - Bit CMOS Dynamic RAM 4194304 ×4 - 位CMOS动态RAM
		VG26V17400FJ-5 中文翻译品牌: VML	4,194,304 x 4 - Bit CMOS Dynamic RAM 4194304 ×4 - 位CMOS动态RAM
		VG26V17400FJ-6 中文翻译品牌: VML	4,194,304 x 4 - Bit CMOS Dynamic RAM 4194304 ×4 - 位CMOS动态RAM
		VG26V17405J-5 中文翻译品牌: VML	4,194,304 x 4 - Bit CMOS Dynamic RAM 4194304 ×4 - 位CMOS动态RAM
		VG26V17405J-6 中文翻译品牌: VML	4,194,304 x 4 - Bit CMOS Dynamic RAM 4194304 ×4 - 位CMOS动态RAM
		VG26V18165CJ-5 中文翻译品牌: VML	1,048,576 x 16 - Bit CMOS Dynamic RAM 1,048,576 ×16 - 位CMOS动态RAM	内存集成电路光电二极管动态存储器
		VG26V18165CJ-6 中文翻译品牌: VML	1,048,576 x 16 - Bit CMOS Dynamic RAM 1,048,576 ×16 - 位CMOS动态RAM
		VG26VS17400E 中文翻译品牌: VML	4,194,304 x 4 - Bit CMOS Dynamic RAM 4194304 ×4 - 位CMOS动态RAM
		VG26VS17400FJ 中文翻译品牌: VML	4,194,304 x 4 - Bit CMOS Dynamic RAM 4194304 ×4 - 位CMOS动态RAM
		VG26VS17405FJ 中文翻译品牌: VML	4,194,304 x 4 - Bit CMOS Dynamic RAM 4194304 ×4 - 位CMOS动态RAM

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VML是什么品牌：世界先进积体电路股份有限公司（简称“世界先进”）于1994年12月5日在新竹科学园区设立。自成立以来，公司在制程技术及生产效能上不断精进，并持续提供最具成本效益的完整解决方案及高附加价值的服务予客户，成为“特殊积体电路制造服务”的领导厂商。世界先进目前拥有五座八吋晶圆厂，分别位于台湾与新加坡。2023年平均月产能约27.9万片八吋晶圆。世界先进及子公司共有超过6,000名员工，坚持以“客户服务为导向”的经营理念，持续加强对特殊积体电路晶圆代工客户的专业服务。而为提供全球客户最佳支援服务，我们除在台湾设立总公司外，于全球各主要IC据点皆设有销售及服务据点。