型号等于：	DS1265 (2) DS1265W (2) DS1265Y (2)
型号起始：	DS1265* (34) DS1265A* (10) DS1265W* (10) DS1265Y* (12)
所属品牌：	不限 MAXIM(12) DALLAS(7) ETC(6) ROCHESTER(6) ADI(2)
功能分类：	不限静态存储器(12) 内存集成电路(8) 存储(0) 光电二极管(1) 电池(0) 控制器(0)

DS1265 - 型号起始 - MAXIM; 总记录数：15

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		DS1265AB 中文翻译品牌: MAXIM	8M Nonvolatile SRAM 8M非易失SRAM	静态存储器
		DS1265AB-100+ 中文翻译品牌: MAXIM	Non-Volatile SRAM Module, 1MX8, 100ns, CMOS, 0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-36	静态存储器内存集成电路
		DS1265AB-70IND 中文翻译品牌: MAXIM	Non-Volatile SRAM Module, 1MX8, 70ns, CMOS, 0.740 INCH, DIP-36	静态存储器内存集成电路
		DS1265AB-70IND+ 中文翻译品牌: MAXIM	Non-Volatile SRAM Module, 1MX8, 70ns, CMOS, 0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-36	静态存储器内存集成电路
		DS1265W 中文翻译品牌: MAXIM	3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM	静态存储器
		DS1265W-100 中文翻译品牌: MAXIM	存储容量(Mb):8Mb（1M x 8）;内存数据长度(bit):1M ;字编码数(k):1M ;元器件封装:36-EDIP;	存储
		DS1265W-100+ 中文翻译品牌: MAXIM	3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM	静态存储器内存集成电路
		DS1265W-100IND 中文翻译品牌: MAXIM	存储容量(Mb):8Mb（1M x 8）;内存数据长度(bit):1M ;字编码数(k):1M ;最大存取时间(ns）:100ns;最小工作电压(V):3V;最大工作电压(V):3.6V;元器件封装:36-EDIP;	存储
		DS1265W-100IND+ 中文翻译品牌: MAXIM	Non-Volatile SRAM Module, 1MX8, 100ns, CMOS, 0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-36	静态存储器内存集成电路
		DS1265W-150 中文翻译品牌: MAXIM	存储容量(Mb):8Mb（1M x 8）;内存数据长度(bit):1M ;字编码数(k):1M ;元器件封装:36-EDIP;	存储
		DS1265Y 中文翻译品牌: MAXIM	8M Nonvolatile SRAM 8M非易失SRAM	内存集成电路静态存储器光电二极管
		DS1265Y-70+ 中文翻译品牌: MAXIM	Non-Volatile SRAM Module, 1MX8, 70ns, CMOS, 0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-36	静态存储器内存集成电路
		DS1265Y-70IND+ 中文翻译品牌: MAXIM	Non-Volatile SRAM Module, 1MX8, 70ns, CMOS, 0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-36	静态存储器内存集成电路
		DS1265Y-IND 中文翻译品牌: MAXIM	Non-Volatile SRAM Module, 1MX8, 70ns, CMOS, PDIP36, 0.740 INCH, PLASTIC, DIP-36	静态存储器
		DS1265Y/AB 中文翻译品牌: MAXIM	8M Nonvolatile SRAM 8M非易失SRAM\n	静态存储器

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