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EPROM

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	AM27256-17DIB		EPROM	UVPROM, 32KX8, 170ns, NMOS, CDIP28, DIP-28

	AM27256-17LCB		EPROM	UVPROM, 32KX8, 170ns, NMOS, CQCC32, LCC-32

	AM27256-1DC		EPROM	UVPROM, 32KX8, 170ns, NMOS, CDIP28, DIP-28

	AM27256-1PC		EPROM	UVPROM

	AM27256-20DC		EPROM	UVPROM, 32KX8, 200ns, NMOS, CDIP28, DIP-28

	AM27256-20DIB		EPROM	UVPROM, 32KX8, 200ns, NMOS, CDIP28, DIP-28

	AM27256-2DC		EPROM	UVPROM, 32KX8, 200ns, NMOS, CDIP28, DIP-28

	AM27256-30DIB		EPROM	UVPROM, 32KX8, 300ns, NMOS, CDIP28, DIP-28

	AM27256-30PC		EPROM	UVPROM

	AM27256-3DC		EPROM	UVPROM, 32KX8, 300ns, NMOS, CDIP28, DIP-28

	AM27256-3DIB		EPROM	UVPROM

	AM27256-45DIB		EPROM	UVPROM, 32KX8, 450ns, NMOS, CDIP28, DIP-28

	AM27256-4DC		EPROM	UVPROM, 32KX8, 450ns, NMOS, CDIP28, DIP-28

	AM27256-4DIB		EPROM	UVPROM

	AM27256DC		EPROM	UVPROM, 32KX8, 250ns, NMOS, CDIP28, DIP-28

	AM2732-6DC		EPROM	UVPROM, 4KX8, 550ns, MOS, CDIP24, DIP-24

	AM2732ADC		EPROM	UVPROM

	AM2732B-200DC		EPROM	UVPROM, 4KX8, 200ns, NMOS, CDIP24, DIP-24

	AM2732BDC		EPROM	UVPROM, 4KX8, 250ns, NMOS, CDIP24, DIP-24

	AM2732DC		EPROM	UVPROM, 4KX8, 450ns, MOS, CDIP24, DIP-24

	AM27512-30DC		EPROM	UVPROM, 64KX8, 300ns, NMOS, CDIP28, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-28

	AM27512-45DIB		EPROM	UVPROM, 64KX8, 450ns, NMOS, CDIP28, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-28

	AM27512DIB		EPROM	UVPROM,

	AM2764-45LMB		EPROM	UVPROM

	AM2764ADIB		EPROM	UVPROM, 8KX8, 250ns, NMOS, CDIP28, DIP-28

	AM2764DC		EPROM	UVPROM

	AM27C010-120DC		EPROM	1 Megabit ( 128 K x 8-Bit ) CMOS EPROM Speed options as fast as 45 ns 1兆位（ 128千×8位） CMOS EPROM速度选择快45纳秒

	AM27C010-120DC		EPROM	UVPROM, 128KX8, 120ns, CMOS, CDIP32, CERAMIC, DIP-32

	AM27C010-120DCB		EPROM	1 Megabit ( 128 K x 8-Bit ) CMOS EPROM Speed options as fast as 45 ns 1兆位（ 128千×8位） CMOS EPROM速度选择快45纳秒

	AM27C010-120DCB		EPROM	UVPROM, 128KX8, 120ns, CMOS, CDIP32, CERAMIC, DIP-32

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EPROM 热门型号

什么是EPROM

EPROM是一种是一种断电后仍能保留数据的计算机储存芯片——即非易失性的（非挥发性）。EPROM由以色列工程师Dov Frohman发明，它是一组浮栅晶体管，被一个提供比电子电路中常用电压更高电压的电子器件分别编程。 EPROM其中的内容可以通过特殊手段擦去，然后重新写入。其基本单元电路（存储细胞），常采用浮空栅雪崩注入式MOS电路，简称为FAMOS。它与MOS电路相似，是在N型基片上生长出两个高浓度的P型区，通过欧姆接触分别引出源极S和漏极D。