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EPROM
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27256-17I EPROM 27256-17I
27256-20 EPROM 27256-20
27256-20/KB EPROM 27256-20/KB
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27256-25 EPROM 27256-25
27256-25/KB EPROM 27256-25/KB
27256-25I/KB EPROM 27256-25I/KB
27C128-12/J EPROM 16K X 8 UVPROM, 120 ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28
27C128-12/K EPROM 16KX8 UVPROM, 120ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
27C128-12E/J EPROM 16KX8 UVPROM, 120ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28
27C128-12E/J EPROM 16K X 8 UVPROM, 120 ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28
27C128-12E/K EPROM 16K X 8 UVPROM, 120 ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
27C128-12I/J EPROM 16K X 8 UVPROM, 120 ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28
27C128-15/J EPROM 16K X 8 UVPROM, 150 ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28
27C128-15/K EPROM 16K X 8 UVPROM, 150 ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
27C128-15/KA EPROM EPROM, 16KX8, 150ns, CMOS, CQCC32
27C128-15/KB EPROM EPROM, 16KX8, 150ns, CMOS, CQCC32
27C128-15E/K EPROM 16K X 8 UVPROM, 150 ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
27C128-15I/J EPROM 16K X 8 UVPROM, 150 ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28
27C128-15I/K EPROM 16K X 8 UVPROM, 150 ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
27C128-15I/KA EPROM EPROM, 16KX8, 150ns, CMOS, CQCC32
27C128-15I/KB EPROM EPROM, 16KX8, 150ns, CMOS, CQCC32
27C128-17/J EPROM 16K X 8 UVPROM, 170 ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28
27C128-17/K EPROM 16K X 8 UVPROM, 170 ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
27C128-17/KA EPROM EPROM, 16KX8, 170ns, CMOS, CQCC32
27C128-17/KB EPROM EPROM, 16KX8, 170ns, CMOS, CQCC32
27C128-17E/J EPROM 16K X 8 UVPROM, 170 ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28
27C128-17E/K EPROM 16K X 8 UVPROM, 170 ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
27C128-17I/J EPROM 16K X 8 UVPROM, 170 ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28
27C128-17I/K EPROM 16K X 8 UVPROM, 170 ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
Total:6001234567891011...20
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EPROM 热门型号

什么是EPROM

    EPROM是一种是一种断电后仍能保留数据的计算机储存芯片——即非易失性的（非挥发性）。EPROM由以色列工程师Dov Frohman发明，它是一组浮栅晶体管，被一个提供比电子电路中常用电压更高电压的电子器件分别编程。 EPROM其中的内容可以通过特殊手段擦去，然后重新写入。其基本单元电路（存储细胞），常采用浮空栅雪崩注入式MOS电路，简称为FAMOS。它与MOS电路相似，是在N型基片上生长出两个高浓度的P型区，通过欧姆接触分别引出源极S和漏极D。
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