描述：漏源电压Vdss(V):20V;额定电流Id(A):7.8A, 6.3A;最大导通阻抗Ron(mΩ):20 mOhm @ 7A, 4.5V;类型:N and P-Channel;栅极电荷Qg(nC):11.6nC @ 4.5V;栅源耐压Vgs(V):1.5V @ 250µA;最小工作温度(℃):-55°C ;最大工作温度(℃): 150°C ;元器件封装:8-SOIC;