描述：CE结击穿电压Vceo(V):50 V ;类型:NPN - 预偏压 ;CE结饱和压降Vce(sat):150mV @ 500µA，5mA ;变换频率ft(MHz):250 MHz ;最大耗散功率Pd(W):150 mW ;偏置电阻R1(KΩ):1 kOhms ;偏置电阻R2(KΩ):10 kOhms ;元器件封装:VMT3;