描述：CE结击穿电压Vceo(V):50 V ;类型:NPN - 预偏压 ;CE结饱和压降Vce(sat):300mV @ 1mA，10mA ;变换频率ft(MHz):250 MHz ;最大耗散功率Pd(W):200 mW ;偏置电阻R1(KΩ):10 kOhms ;元器件封装:SMT3;