描述：漏源电压Vdss(V):30V;额定电流Id(A):5A;类型:2 个 P 沟道（双）;栅极电荷Qg(nC):9nC @ 5V;栅源耐压Vgs(V):3V @ 250µA;最小工作温度(℃):-55°C ;最大工作温度(℃): 175°C;元器件封装:8-SOIC;