描述：英飞凌 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 60 V 采用 SuperSO8 封装 (ISC010N06NM5)，具备低导通电阻 RDS(on)（25˚C 和 175˚C 下）和高连续电流（可达 330 A）。英飞凌 OptiMOS™ 3 和 5 产品系列新增 SuperSO8 封装型 OptiMOS™ MOSFET，器件功率密度和稳健性更高，可降低系统成本并增强性能。低反向恢复电荷 (Qrr) 将大幅降低电压过冲，因此无需使用吸收电路，进而可减少工程成本和工作量，提高系统可靠性。