描述：此系列基于超级结技术的功率MOSFET拥有600V-800V级别MOSFET中最低的RDS(on)。 内部DCB隔离简化了组装并减小了从结到散热片之间的热阻。 这些器件经过了雪崩评级，因此可确保稳定可靠的运行。 功能与特色: 应用: 优点: