描述：这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的dv/dt性能。 其雪崩能力也增强了器件的强度。 此外，借助快速软恢复体二极管，超级结MOSFET有助于