描述：最小供电电压(V):5.5V;最大供电电压(V):24V;驱动配置:半桥;通道类型:3 相;驱动器数:6;栅极类型:N 沟道 MOSFET;上升时间(ns):350ns;下降时间(ns):250ns;元器件封装:32-SOIC;