SI1077X-T1-GE3 封装和模型

品牌:VISHAY
描述:漏源电压Vdss(V):20V;最大导通阻抗Ron(mΩ):78 mOhm @ 1.8A, 4.5V;类型:P-Channel;栅极电荷Qg(nC):31.1nC @ 8V;最大耗散功率Pd(W):330mW (Ta);栅源耐压Vgs(V):±8V;最小工作温度(℃):-55°C ;最大工作温度(℃): 150°C ;元器件封装:SOT-563;

EDA/CDA模型

原理图符号

PCB 封装图

3D模型

其他器件