SI1077X-T1-GE3 封装和模型

品牌:VISHAY
描述:漏源电压Vdss(V):20V;最大导通阻抗Ron(mΩ):78 mOhm @ 1.8A, 4.5V;类型:P-Channel;栅极电荷Qg(nC):31.1nC @ 8V;最大耗散功率Pd(W):330mW (Ta);栅源耐压Vgs(V):±8V;最小工作温度(℃):-55°C ;最大工作温度(℃): 150°C ;元器件封装:SOT-563;
EDA/CDA模型
原理图符号
PCB 封装图
3D模型
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