描述：漏源电压Vdss(V):30V;额定电流Id(A):9A (Tc);最大导通阻抗Ron(mΩ):32 mOhm @ 7A, 10V;类型:P-Channel;栅极电荷Qg(nC):38nC @ 10V;最大耗散功率Pd(W):2.5W (Ta), 4.2W (Tc);栅源耐压Vgs(V):±20V;最小工作温度(℃):-55°C ;最大工作温度(℃): 150°C ;元器件封装:8-SOIC;