描述：漏源电压Vdss(V):30V;额定电流Id(A):4.1A (Ta);最大导通阻抗Ron(mΩ):42 mOhm @ 5.7A, 10V;类型:P-Channel;栅极电荷Qg(nC):24nC @ 10V;最大耗散功率Pd(W):1.3W (Ta);栅源耐压Vgs(V):±20V;最小工作温度(℃):-55°C ;最大工作温度(℃): 150°C ;元器件封装:8-SOIC;