SQJQ402E-T1_GE3 封装和模型

品牌:VISHAY
描述:Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 40V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
EDA/CDA模型
SQJQ402E-T1_GE3 封装和模型
EDA/CDA模型