STP110N8F6 封装和模型

描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):80V 连续漏极电流(Id):110A 功率(Pd):200W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,55A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250μA

EDA/CDA模型

原理图符号

PCB 封装图

3D模型

其他器件