描述：CE结击穿电压Vceo(V):50V;类型:2 PNP - Pre-Biased (Dual);CE结饱和压降Vce(sat):300mV @ 2.5mA, 5mA;变换频率ft(MHz):250MHz;最大耗散功率Pd(W):150mW;元器件封装:SOT-363;