型号等于:NE555 (12) NE556 (5) NE558 (3)
型号起始:NE55* (760) NE550* (28) NE551* (94) NE552* (36) NE553* (273) NE554* (13) NE555* (166) NE556* (102) NE557* (12) NE558* (21) NE559* (15)
所属品牌:不限 TI(135) VISHAY(130) NXP(128) PHILIPS(100) NEC(44) ONSEMI(43) RENESAS(40) CEL(34) ETC(28) ROCHESTER(19) STMICROELECTRONICS(15) UTC(15) FAIRCHILD(10) FS(3) UMW(3) DIODES(2) HGSEMI(2) MOTOROLA(2) TGS(2) ESTEK(1) HARRIS(1) HMSEMI(1) SAMSUNG(1) Wing Shing(1)
功能分类:不限 光电二极管(1) 运算放大器(0) 放大器电路(0) 放大器(24) 模拟波形发生功能(0) 信号电路(0) CD(0) 晶体管(18) PC(0) 电阻器(0) 晶体(12) 射频场效应晶体管(0) 射频(9) 开关(0) ISM频段(3) 模拟定时器(0) 外围集成电路(0) 控制器(0) 输出元件(0) 调节器(0) 视频放大器(0) 功率放大器(3) GSM(4) 稳压器(0) 开关式稳压器或控制器(0) 电源电路(0) 开关式控制器(0) 电子(0) 电机(0) 转换器(0) 位置转换器(0) 采样保持电路(0) 半导体(0) 振荡器(0) 军事(0) 电动机控制(0) 脉冲(0) 空调(0) 运动控制电子器件(0)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
NE5500179A
中文翻译 品牌: CEL
4.8 V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR GSM1800 AND GSM1900 TRANSMISSION AMPLIFIERS
4.8 V工作电压硅射频功率MOSFET用于GSM1800和GSM1900发送放大器
放大器 射频 GSM
NE5500179A-T1
中文翻译 品牌: CEL
4.8 V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR GSM1800 AND GSM1900 TRANSMISSION AMPLIFIERS
4.8 V工作电压硅射频功率MOSFET用于GSM1800和GSM1900发送放大器
晶体 放大器 晶体管 射频 GSM
NE5510179A
中文翻译 品牌: CEL
3.5 V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR 1.9 GHZ TRANSMISSION AMPLIFIERS
3.5 V工作电压硅射频功率MOSFET 1.9 GHZ发送放大器
放大器 射频
NE5510179A-T1
中文翻译 品牌: CEL
3.5 V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR 1.9 GHZ TRANSMISSION AMPLIFIERS
3.5 V工作电压硅射频功率MOSFET 1.9 GHZ发送放大器
晶体 放大器 晶体管 射频
NE5510279A
中文翻译 品牌: CEL
3.5 V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR GSM1800 TRANSMISSION AMPLIFIERS
3.5 V工作电压硅射频功率MOSFET用于GSM1800发送放大器
晶体 放大器 晶体管 射频 GSM
NE5510279A-T1
中文翻译 品牌: CEL
3.5 V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR GSM1800 TRANSMISSION AMPLIFIERS
3.5 V工作电压硅射频功率MOSFET用于GSM1800发送放大器
晶体 放大器 晶体管 射频 GSM
NE5511279A
中文翻译 品牌: CEL
7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET
7.5 V UHF频段射频功率硅LD- MOS FET
晶体 晶体管 射频 放大器
NE5511279A-T1
中文翻译 品牌: CEL
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN 放大器 晶体管
NE5511279A-T1-A
中文翻译 品牌: CEL
7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET
7.5 V UHF频段射频功率硅LD- MOS FET
射频
NE5511279A-T1A
中文翻译 品牌: CEL
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN 放大器 晶体管
NE5511279A-T1A-A
中文翻译 品牌: CEL
7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET
7.5 V UHF频段射频功率硅LD- MOS FET
晶体 晶体管 射频 ISM频段 放大器
NE5520279A
中文翻译 品牌: CEL
3.2 V, 2 W, L&S BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET
3.2 V, 2 W , L& S波段中功率硅LD- MOSFET
晶体 晶体管 放大器
NE5520279A-T1-A
中文翻译 品牌: CEL
3.2 V, 2 W, L&S BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET
3.2 V, 2 W , L& S波段中功率硅LD- MOSFET
晶体 晶体管 ISM频段 放大器
NE5520379A
中文翻译 品牌: CEL
NECs 3.2V, 3W, L/S BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET
NEC的3.2V , 3W ,L / S波段中功率硅LD- MOSFET
晶体 晶体管 放大器
NE5520379A-T1
中文翻译 品牌: CEL
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
NE5520379A-T1A
中文翻译 品牌: CEL
暂无描述
NE5520379A-T1A-A
中文翻译 品牌: CEL
NECs 3.2V, 3W, L/S BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET
NEC的3.2V , 3W ,L / S波段中功率硅LD- MOSFET
NE552R479A
中文翻译 品牌: CEL
NECs 3.0 V, 0.25 W L&S-BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET
NEC的3.0 V, 0.25 W L & S波段中功率硅LD- MOSFET
晶体 晶体管 放大器
NE552R479A-T1A-A
中文翻译 品牌: CEL
NECs 3.0 V, 0.25 W L&S-BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET
NEC的3.0 V, 0.25 W L & S波段中功率硅LD- MOSFET
晶体 晶体管 放大器
NE5531079A
中文翻译 品牌: CEL
7.5 V OPERATION SILICON RF POWER LDMOS FET FOR UHF-BAND 10 W TRANSMISSION AMPLIFIERS 放大器
NE5531079A-A
中文翻译 品牌: CEL
7.5 V OPERATION SILICON RF POWER LDMOS FET FOR UHF-BAND 10 W TRANSMISSION AMPLIFIERS 放大器 晶体管
NE5531079A-T1
中文翻译 品牌: CEL
7.5 V OPERATION SILICON RF POWER LDMOS FET FOR UHF-BAND 10 W TRANSMISSION AMPLIFIERS 放大器
NE5531079A-T1-A
中文翻译 品牌: CEL
7.5 V OPERATION SILICON RF POWER LDMOS FET FOR UHF-BAND 10 W TRANSMISSION AMPLIFIERS 放大器
NE5531079A-T1A
中文翻译 品牌: CEL
7.5 V OPERATION SILICON RF POWER LDMOS FET FOR UHF-BAND 10 W TRANSMISSION AMPLIFIERS 放大器
NE5531079A-T1A-A
中文翻译 品牌: CEL
7.5 V OPERATION SILICON RF POWER LDMOS FET FOR UHF-BAND 10 W TRANSMISSION AMPLIFIERS 放大器 晶体管
NE55410GR
中文翻译 品牌: CEL
N-CHANNEL SILICON POWER LDMOS FET FOR 2 W + 10 W VHF to L-BAND SINGLE-END POWER AMPLIFIER
N沟道硅功率LDMOS FET,用于2 W + 10瓦VHF到L波段单端功率放大器
放大器 功率放大器
NE55410GR-T3-AZ
中文翻译 品牌: CEL
N-CHANNEL SILICON POWER LDMOS FET FOR 2 W + 10 W VHF to L-BAND SINGLE-END POWER AMPLIFIER
N沟道硅功率LDMOS FET,用于2 W + 10瓦VHF到L波段单端功率放大器
晶体 放大器 晶体管 功率放大器 光电二极管 ISM频段
NE55410GR_07
中文翻译 品牌: CEL
N-CHANNEL SILICON POWER LDMOS FET FOR 2 W + 10 W VHF to L-BAND SINGLE-END POWER AMPLIFIER
N沟道硅功率LDMOS FET,用于2 W + 10瓦VHF到L波段单端功率放大器
放大器 功率放大器
NE5550279A
中文翻译 品牌: CEL
Silicon Power LDMOS FET
NE5550279A-A
中文翻译 品牌: CEL
Silicon Power LDMOS FET 晶体管
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