型号等于：	NE5512 (1) NE5514 (1) NE5517 (2)
型号起始：	NE551* (94) NE5510* (20) NE5511* (21) NE5512* (12) NE5514* (13) NE5515* (1) NE5516* (1) NE5517* (26)
所属品牌：	不限 VISHAY(37) NXP(14) PHILIPS(12) NEC(10) ONSEMI(10) CEL(9) ETC(1) RENESAS(1)
功能分类：	不限放大器(38) 光电二极管(18) 运算放大器(14) 放大器电路(6) 电阻器(5) CD(4) 晶体(13) 射频场效应晶体管(8) 射频(8) 晶体管(7) GSM(4) ISM频段(1)

NE551 - 型号起始; 总记录数：94

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		NE55100K+/-.25% 中文翻译品牌: VISHAY	Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 100000ohm, 250V, 0.25% +/-Tol, -25,25ppm/Cel,
		NE55100K+/-.5% 中文翻译品牌: VISHAY	Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 100000ohm, 250V, 0.5% +/-Tol, -25,25ppm/Cel,
		NE55100R+/-.1% 中文翻译品牌: VISHAY	Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 100ohm, 250V, 0.1% +/-Tol, -25,25ppm/Cel	电阻器
		NE55100R+/-1% 中文翻译品牌: VISHAY	Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 100ohm, 250V, 1% +/-Tol, -25,25ppm/Cel	电阻器
		NE5510179A 中文翻译品牌: NEC	3.5V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR 1.9 GHZ TRANSMISSION AMPLIFIERS 3.5V操作硅射频功率MOSFET 1.9 GHZ发送放大器	放大器射频
		NE5510179A 中文翻译品牌: CEL	3.5 V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR 1.9 GHZ TRANSMISSION AMPLIFIERS 3.5 V工作电压硅射频功率MOSFET 1.9 GHZ发送放大器	放大器射频
		NE5510179A-T1 中文翻译品牌: NEC	3.5V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR 1.9 GHZ TRANSMISSION AMPLIFIERS 3.5V操作硅射频功率MOSFET 1.9 GHZ发送放大器	晶体放大器射频场效应晶体管
		NE5510179A-T1 中文翻译品牌: CEL	3.5 V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR 1.9 GHZ TRANSMISSION AMPLIFIERS 3.5 V工作电压硅射频功率MOSFET 1.9 GHZ发送放大器	晶体放大器晶体管射频
		NE5510179A-T1-A 中文翻译品牌: NEC	暂无描述	晶体放大器射频场效应晶体管
		NE5510279A 中文翻译品牌: NEC	3.5V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR GSM1800 TRANSMISSION AMPLIFIERS 3.5V操作硅射频功率MOSFET用于GSM1800发送放大器	晶体放大器射频场效应晶体管 GSM
		NE5510279A 中文翻译品牌: CEL	3.5 V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR GSM1800 TRANSMISSION AMPLIFIERS 3.5 V工作电压硅射频功率MOSFET用于GSM1800发送放大器	晶体放大器晶体管射频 GSM
		NE5510279A-T1 中文翻译品牌: NEC	3.5V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR GSM1800 TRANSMISSION AMPLIFIERS 3.5V操作硅射频功率MOSFET用于GSM1800发送放大器	晶体放大器射频场效应晶体管 GSM
		NE5510279A-T1 中文翻译品牌: CEL	3.5 V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR GSM1800 TRANSMISSION AMPLIFIERS 3.5 V工作电压硅射频功率MOSFET用于GSM1800发送放大器	晶体放大器晶体管射频 GSM
		NE5510279A-T1-A 中文翻译品牌: NEC	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN
		NE55102K+/-.25% 中文翻译品牌: VISHAY	Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 102000ohm, 250V, 0.25% +/-Tol, -25,25ppm/Cel,
		NE5510379A-T1 中文翻译品牌: RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,1.5A I(D),BEAM LEAD
		NE55105K+/-1% 中文翻译品牌: VISHAY	Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 105000ohm, 250V, 1% +/-Tol, -25,25ppm/Cel,
		NE55107K+/-1% 中文翻译品牌: VISHAY	Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 107000ohm, 250V, 1% +/-Tol, -25,25ppm/Cel,
		NE55107R+/-.25% 中文翻译品牌: VISHAY	Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 107ohm, 250V, 0.25% +/-Tol, -25,25ppm/Cel,
		NE5510K0+/-1% 中文翻译品牌: VISHAY	Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 10000ohm, 250V, 1% +/-Tol, -25,25ppm/Cel	电阻器
		NE55110R+/-1% 中文翻译品牌: VISHAY	Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 110ohm, 250V, 1% +/-Tol, -25,25ppm/Cel,
		NE5511279A 中文翻译品牌: NEC	NECS 7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET NECS 7.5 V UHF频段射频功率硅LD- MOS FET	晶体射频场效应晶体管放大器
		NE5511279A 中文翻译品牌: CEL	7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET 7.5 V UHF频段射频功率硅LD- MOS FET	晶体晶体管射频放大器
		NE5511279A-A 中文翻译品牌: NEC	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN	晶体射频场效应晶体管放大器
		NE5511279A-T1 中文翻译品牌: NEC	NECS 7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET NECS 7.5 V UHF频段射频功率硅LD- MOS FET	晶体射频场效应晶体管放大器
		NE5511279A-T1 中文翻译品牌: CEL	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN	放大器晶体管
		NE5511279A-T1-A 中文翻译品牌: CEL	7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET 7.5 V UHF频段射频功率硅LD- MOS FET	射频
		NE5511279A-T1A 中文翻译品牌: NEC	NECS 7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET NECS 7.5 V UHF频段射频功率硅LD- MOS FET	晶体射频场效应晶体管放大器
		NE5511279A-T1A 中文翻译品牌: CEL	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN	放大器晶体管
		NE5511279A-T1A-A 中文翻译品牌: CEL	7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET 7.5 V UHF频段射频功率硅LD- MOS FET	晶体晶体管射频 ISM频段放大器

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