型号等于：	BS61 (2)
型号起始：	BS61* (1001) BS616* (999)
所属品牌：	不限 BSI(1258) ETC(23)
功能分类：	不限静态存储器(0) 存储(0) 内存集成电路(0) 光电二极管(0) 电池(1)

BS61 - 型号起始 - ETC; 总记录数：23

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		BS61 中文翻译品牌: ETC	Battery holder for one AA battery 一节AA电池的电池架	电池
		BS616LV1623 中文翻译品牌: ETC	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16或2M ×8位切换	静态存储器
		BS616LV1623TC 中文翻译品牌: ETC	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16或2M ×8位切换	静态存储器
		BS616LV1623TC-55 中文翻译品牌: ETC	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16或2M ×8位切换	静态存储器
		BS616LV1623TC-70 中文翻译品牌: ETC	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16或2M ×8位切换	静态存储器
		BS616LV1623TCG55 中文翻译品牌: ETC	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16或2M ×8位切换	静态存储器
		BS616LV1623TCG70 中文翻译品牌: ETC	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16或2M ×8位切换	内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1623TCP55 中文翻译品牌: ETC	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16或2M ×8位切换	内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1623TCP70 中文翻译品牌: ETC	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16或2M ×8位切换	内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1623TI 中文翻译品牌: ETC	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16或2M ×8位切换	静态存储器
		BS616LV1623TI-55 中文翻译品牌: ETC	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16或2M ×8位切换	静态存储器
		BS616LV1623TI-70 中文翻译品牌: ETC	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16或2M ×8位切换	静态存储器
		BS616LV1623TIG55 中文翻译品牌: ETC	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16或2M ×8位切换	静态存储器
		BS616LV1623TIG70 中文翻译品牌: ETC	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16或2M ×8位切换	内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1623TIP55 中文翻译品牌: ETC	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16或2M ×8位切换	内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1623TIP70 中文翻译品牌: ETC	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16或2M ×8位切换	静态存储器
		BS616LV4018 中文翻译品牌: ETC	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4018AC 中文翻译品牌: ETC	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4018AI 中文翻译品牌: ETC	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4018DC 中文翻译品牌: ETC	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4018DI 中文翻译品牌: ETC	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4018EC 中文翻译品牌: ETC	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4018EI 中文翻译品牌: ETC	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器

Total:231

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