型号等于: | BS61 (2) |
型号起始: | BS61* (1001) BS616* (999) |
所属品牌: | 不限 BSI(1258) ETC(23) |
功能分类: | 不限 静态存储器(1277) 存储(169) 内存集成电路(343) 光电二极管(178) 电池(1) |
品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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BS61
中文翻译 品牌: ETC |
Battery holder for one AA battery 一节AA电池的电池架 |
电池 | |||
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BS616LV1010
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010AA70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, BGA-48 | 静态存储器 内存集成电路 | ||
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BS616LV1010AAG70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, GREEN, BGA-48 | 静态存储器 内存集成电路 | ||
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BS616LV1010AC
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010AC55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010AC70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010ACG55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
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BS616LV1010ACG70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
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BS616LV1010ACG75
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010ACP55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | ||
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BS616LV1010ACP70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
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BS616LV1010ACP75
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010AI
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010AI55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010AI70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010AIG55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
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BS616LV1010AIG70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | ||
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BS616LV1010AIG75
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010AIP55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | ||
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BS616LV1010AIP70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
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BS616LV1010AIP75
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010DA70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, DIE PACKAGE | 静态存储器 | |||
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BS616LV1010DAG70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, GREEN, DIE PACKAGE | 静态存储器 | |||
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BS616LV1010DC55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010DC70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010DCG55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | ||
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BS616LV1010DCG70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010DCG75
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010DCP55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 |