| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRF530
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.16ohm, Id=14A) 功率MOSFET （ VDSS = 100V ， RDS（ON） = 0.16ohm ，ID = 14A） |
晶体 晶体管 局域网 | |||
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IRF530-001PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | ||||
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IRF5305
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-31A) 功率MOSFET （ VDSS = -55V ， RDS（ON） = 0.06ohm ，ID = -31A ） |
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IRF5305L
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-31A) 功率MOSFET （ VDSS = -55V ， RDS（ON） = 0.06ohm ，ID = -31A ） |
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IRF5305LPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
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IRF5305PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 PC 局域网 | ||
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IRF5305S
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-31A) 功率MOSFET （ VDSS = -55V ， RDS（ON） = 0.06ohm ，ID = -31A ） |
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IRF5305SLPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Advanced Process Technology 先进的工艺技术 |
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IRF5305SPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF5305STR
中文翻译 品牌: INFINEON |
最小工作温度(℃):0;最大工作温度(℃):; | ||||
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IRF5305STRLPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET® Power MOSFET HEXFET®功率MOSFET |
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IRF5305STRR
中文翻译 品牌: INFINEON |
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK | |||
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IRF5305STRRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Advanced Process Technology 先进的工艺技术 |
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IRF530FPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 局域网 晶体管 | |||
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IRF530FX
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | ||||
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IRF530FXPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | ||||
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IRF530L
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.11ohm, Id=17A) 功率MOSFET （ VDSS = 100V ， RDS（ON） = 0.11ohm ，ID = 17A） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 局域网 | |||
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IRF530N
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=90mohm, Id=17A) 功率MOSFET （ VDSS = 100V ， RDS（ON） = 90mohm ，ID = 17A） |
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IRF530NL
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
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IRF530NL-102
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, TO-262, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRF530NL-102PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, LEAD FREE, PLASTIC, TO | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRF530NLPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
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IRF530NPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 PC 局域网 | ||
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IRF530NS
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.11ohm, Id=17A) 功率MOSFET （ VDSS = 100V ， RDS（ON） = 0.11ohm ，ID = 17A） |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF530NSPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
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IRF530NSTRLPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
Advanced Process Technology 先进的工艺技术 |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF530NSTRR
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3 | ||||
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IRF530NSTRRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Advanced Process Technology 先进的工艺技术 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF530PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Dynamic dv/dt Rating, Fast Switching, Ease of Paralleling, Simple Drive Requirements 动态的dv / dt的额定值，快速切换，易于并联的，简单的驱动要求 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 驱动 局域网 | |||
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IRF530S
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.16ohm, Id=14A) 功率MOSFET （ VDSS = 100V ， RDS（ON） = 0.16ohm ，ID = 14A） |