| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRF530
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR N沟道增强型硅栅的TMOS功率场效应晶体管 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 栅 局域网 | ||
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IRF530
中文翻译 品牌: TRSYS |
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE N沟道增强型硅栅 |
晶体 晶体管 栅 局域网 | |||
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IRF530
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFETS N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 局域网 | ||
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IRF530
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.16ohm, Id=14A) 功率MOSFET （ VDSS = 100V ， RDS（ON） = 0.16ohm ，ID = 14A） |
晶体 晶体管 局域网 | |||
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IRF530
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V N沟道功率MOSFET ， 20 A， 60〜100 V |
晶体 晶体管 局域网 | |||
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IRF530
中文翻译 品牌: STMICROELECTRONICS |
N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS N沟道增强型功率MOS晶体管 |
晶体 晶体管 局域网 | ||
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IRF530
中文翻译 品牌: HARRIS |
N-Channel Power MOSFETs Avalanche Energy Rated N沟道功率MOSFET的额定雪崩能量 |
晶体 晶体管 局域网 | |||
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IRF530
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 局域网 | ||
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IRF530
中文翻译 品牌: NJSEMI |
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | ||||
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IRF530-001PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | ||||
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IRF530/D
中文翻译 品牌: ETC |
N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate
N沟道增强型硅栅\n |
栅 | |||
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IRF53016
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
14A, 100V, 0.16ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | ||||
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IRF5305
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-31A) 功率MOSFET （ VDSS = -55V ， RDS（ON） = 0.06ohm ，ID = -31A ） |
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IRF5305
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Advanced Process Technology 先进的工艺技术 |
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IRF5305
中文翻译 品牌: FREESCALE |
HEXFET® Power MOSFET HEXFET®功率MOSFET |
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IRF5305
中文翻译 品牌: NJSEMI |
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | ||||
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IRF5305L
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-31A) 功率MOSFET （ VDSS = -55V ， RDS（ON） = 0.06ohm ，ID = -31A ） |
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IRF5305L
中文翻译 品牌: FREESCALE |
HEXFET® Power MOSFET HEXFET®功率MOSFET |
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IRF5305LPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
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IRF5305LPBF
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Advanced Process Technology 先进的工艺技术 |
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IRF5305PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 PC 局域网 | ||
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IRF5305PBF
中文翻译 品牌: UMW |
种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-60V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:-31A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:60mΩ@-10V | ||||
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IRF5305S
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-31A) 功率MOSFET （ VDSS = -55V ， RDS（ON） = 0.06ohm ，ID = -31A ） |
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IRF5305S
中文翻译 品牌: FREESCALE |
HEXFET® Power MOSFET HEXFET®功率MOSFET |
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IRF5305SLPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Advanced Process Technology 先进的工艺技术 |
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IRF5305SPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF5305SPBF
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Advanced Process Technology 先进的工艺技术 |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF5305STR
中文翻译 品牌: INFINEON |
最小工作温度(℃):0;最大工作温度(℃):; | ||||
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IRF5305STRL
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 31A I(D) | TO-263AB
晶体管| MOSFET | P沟道| 55V V（ BR ） DSS | 31A I（ D） | TO- 263AB\n |
晶体 晶体管 | |||
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IRF5305STRL
中文翻译 品牌: UMW |
种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-55V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:-31A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:60mΩ@-10V |