| 型号等于： | IRFBE30 (3) IRFBE30L (2) IRFBE30S (2) |
| 型号起始： | IRFBE30* (3) IRFBE30L* (4) IRFBE30P* (2) IRFBE30S* (10) |
| 所属品牌： | 不限 VISHAY(12) INFINEON(5) KERSEMI(2) |
| 功能分类： | 不限 晶体(4) 晶体管(4) 功率场效应晶体管(3) 开关(4) 脉冲(4) 局域网(4) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFBE30
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=3.0ohm, Id=4.1A) 功率MOSFET （ VDSS = 800V ， RDS（ON） = 3.0ohm ，ID = 4.1A ） |
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IRFBE30L
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFBE30LPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFBE30PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
漏源电压Vdss(V):800V;额定电流Id(A):4.1A（Tc）;类型:N通道;栅极电荷Qg(nC):78nC @ 10V;最大耗散功率Pd(W):125W（Tc）;栅源耐压Vgs(V):4V @ 250µA;最小工作温度(℃):-55°C ;最大工作温度(℃): 150°C;元器件封装:TO | 栅 栅极 | |||
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IRFBE30S
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFBE30SPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 |
Total:61
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