| 型号等于： | IRFBE30S (4) |
| 型号起始： | IRFBE30S* (12) IRFBE30S,* (1) IRFBE30SP* (2) IRFBE30ST* (4) IRFBE30S_* (1) |
| 所属品牌： | 不限 VISHAY(8) INFINEON(2) |
| 功能分类： | 不限 晶体(4) 晶体管(4) 功率场效应晶体管(2) 开关(4) 脉冲(4) 局域网(4) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFBE30S
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFBE30S
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFBE30S, SiHFBE30S, IRFBE30L, SiHFBE30L
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET | ||||
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IRFBE30SPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFBE30SPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFBE30STRLPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRFBE30STRLPBFA
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET | ||||
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IRFBE30STRR
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | ||||
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IRFBE30STRRPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 | ||||
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IRFBE30S_V01
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET |
Total:101
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