| 型号等于： | IRFBG20 (2) IRFBG22 (1) |
| 型号起始： | IRFBG2* (8) IRFBG20* (6) IRFBG22* (2) |
| 所属品牌： | 不限 VISHAY(4) INFINEON(3) ETC(1) |
| 功能分类： | 不限 局域网(2) 开关(1) 晶体管(2) 脉冲(2) 晶体(1) 功率场效应晶体管(0) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
 |
IRFBG20
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=11ohm, Id=1.4A) 功率MOSFET （ VDSS = 1000V ， RDS（ON） = 11ohm ，ID = 1.4A ） |
||||
|
IRFBG20PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
|
IRFBG22-011
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 1000V, 13.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | 局域网 脉冲 晶体管 |
Total:31
总3条记录，每页显示30条记录分1页显示。