型号等于:IRFBG20 (2) IRFBG22 (1)
型号起始:IRFBG2* (8) IRFBG20* (6) IRFBG22* (2)
所属品牌:不限 VISHAY(4) INFINEON(3) ETC(1)
功能分类:不限 局域网(5) 开关(4) 晶体管(6) 脉冲(3) 晶体(3) 功率场效应晶体管(1)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
IRFBG20
中文翻译 品牌: INFINEON
Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=11ohm, Id=1.4A)
功率MOSFET ( VDSS = 1000V , RDS(ON) = 11ohm ,ID = 1.4A )
IRFBG20
中文翻译 品牌: VISHAY
Power MOSFET
功率MOSFET
IRFBG20PBF EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY
Power MOSFET
功率MOSFET
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网
IRFBG20PBF
中文翻译 品牌: INFINEON
HEXFET㈢ Power MOSFET
HEXFET㈢功率MOSFET
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网
IRFBG20STRR
中文翻译 品牌: VISHAY
Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 1000V, 11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 局域网 开关 晶体管
IRFBG20STRRPBF
中文翻译 品牌: VISHAY
Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 1000V, 11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 局域网 开关 晶体管
IRFBG22
中文翻译 品牌: ETC
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 1.2A I(D) | TO-220AB
晶体管| MOSFET | N沟道| 1KV V( BR ) DSS | 1.2AI (D ) | TO- 220AB\n
晶体 晶体管
IRFBG22-011
中文翻译 品牌: INFINEON
Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 1000V, 13.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 局域网 脉冲 晶体管
Total:81
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