型号起始: | IRFD91* (16) IRFD911* (11) IRFD912* (5) |
所属品牌: | 不限 INFINEON(4) VISHAY(4) ETC(2) HARRIS(2) INTERSIL(2) FAIRCHILD(1) MOTOROLA(1) |
功能分类: | 不限 晶体(4) 晶体管(1) 开关(4) 光电二极管(4) 小信号场效应晶体管(3) 功率场效应晶体管(0) |
品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFD9110
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-0.70A) 功率MOSFET ( VDSS = -100V , RDS(ON) = 1.2ohm ,ID = -0.70A ) |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 | |||
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IRFD9110PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -100V , RDS(on) = 1.2ヘ , ID = -0.70A ) HEXFET功率MOSFET( VDSS = -100V , RDS ( ON) = 1.2ヘ, ID = -0.70A ) |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 | |||
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IRFD9113
中文翻译 品牌: INFINEON |
1-WATT RATED POWER MOSFETs 1瓦额定功率MOSFET |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 | |||
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IRFD9120
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.60ohm, Id=-1.0A) 功率MOSFET ( VDSS = -100V , RDS(ON) = 0.60ohm ,ID = -1.0A ) |
晶体 晶体管 开关 光电二极管 | |||
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IRFD9120PbF
中文翻译 品牌: INFINEON |
漏源电压Vdss(V):100V;额定电流Id(A):1A(Ta);类型:P通道;栅极电荷Qg(nC):18nC @ 10V;最大耗散功率Pd(W):1.3W(Ta);栅源耐压Vgs(V):4V @ 250µA;最小工作温度(℃):-55°C ;最大工作温度(℃): 175°C;元器件封装:4-DI | 栅 栅极 |
Total:51
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