品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFP21N60L
中文翻译 品牌: INFINEON |
SMPS MOSFET 开关电源MOSFET |
开关 | |||
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IRFP21N60LPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
SMPS MOSFET 开关电源MOSFET |
晶体 开关 晶体管 功率场效应晶体管 脉冲 局域网 | |||
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IRFP22N50A
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.23ohm, Id=22A) 功率MOSFET ( VDSS = 500V , RDS(ON)最大值= 0.23ohm ,ID = 22A ) |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFP22N50APBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 500V , RDS(on)max = 0.23ヘ , ID = 22A ) HEXFET功率MOSFET ( VDSS = 500V , RDS ( ON)最大值= 0.23ヘ, ID = 22A ) |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFP22N50APBFXKMA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
元器件封装:TO-247AC; | ||||
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IRFP22N60K
中文翻译 品牌: INFINEON |
SMPS MOSFET 开关电源MOSFET |
晶体 开关 晶体管 功率场效应晶体管 脉冲 局域网 | |||
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IRFP22N60KPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFP23N50L
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.190ohm, Id=23A) 功率MOSFET ( VDSS = 500V , RDS(ON) = 0.190ohm ,ID = 23A ) |
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IRFP23N50LPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 500V , RDS(on)typ. = 0.190ヘ , Trr typ. = 170ns , ID = 23A ) HEXFET功率MOSFET ( VDSS = 500V , RDS ( ON) (典型值) = 0.190ヘ, T |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFP240
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=20A) 功率MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(ON) = 0.18ohm ,ID = 20A ) |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFP240PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFP2410
中文翻译 品牌: INFINEON |
Fourth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon | 晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFP244
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.28ohm, Id=15A) 功率MOSFET ( VDSS = 250V , RDS(ON) = 0.28ohm ,ID = 15A ) |
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IRFP244PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET |
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IRFP245
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.34ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | 局域网 脉冲 晶体管 | |||
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IRFP250
中文翻译 品牌: INFINEON |
N-Channel(Hexfet Transistors) N沟道( HEXFET晶体管) |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFP250M
中文翻译 品牌: INFINEON |
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications | ||||
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IRFP250MPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET® Power MOSFET HEXFET®功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFP250N
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss = 200 V, Rds(on)=0.075ohm, Id=30A) 功率MOSFET ( VDSS = 200 V, RDS(ON) = 0.075ohm ,ID = 30A ) |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 局域网 | ||
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IRFP250NPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 PC 局域网 | ||
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IRFP250PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFP251
中文翻译 品牌: INFINEON |
N-Channel(Hexfet Transistors) N沟道( HEXFET晶体管) |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | |||
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IRFP252
中文翻译 品牌: INFINEON |
N-Channel(Hexfet Transistors) N沟道( HEXFET晶体管) |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | |||
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IRFP253
中文翻译 品牌: INFINEON |
N-Channel(Hexfet Transistors) N沟道( HEXFET晶体管) |
晶体 晶体管 | |||
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IRFP254
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss = 250 V, Rds(on)=0.14ohm, Id=23A) 功率MOSFET ( VDSS = 250 V , RDS(ON) = 0.14ohm ,ID = 23A ) |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFP254A
中文翻译 品牌: INFINEON |
$GYDQFHG 3RZHU 026)(7 $ GYDQFHG 3RZHU 026 )(7 |
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IRFP254N
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=125mohm, Id=23A) 功率MOSFET ( VDSS = 250V ,导通电阻Rds ( ON)= 125mohm ,ID = 23A ) |
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IRFP254NPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFP260
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.04ohm, Id=50A) 功率MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(ON) = 0.04ohm ,ID = 50A ) |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFP260M
中文翻译 品牌: INFINEON |
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications |