| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFP250
中文翻译 品牌: STMICROELECTRONICS |
N-CHANNEL 200V - 0.073ohm - 33A TO-247 PowerMesh II MOSFET N沟道200V - 0.073ohm - 33A TO- 247的PowerMESH II MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFP250
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-Channel Power Mosfets N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFP250
中文翻译 品牌: INFINEON |
N-Channel(Hexfet Transistors) N沟道（ HEXFET晶体管） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFP250
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
200V N-Channel MOSFET 200V N沟道MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFP250
中文翻译 品牌: IXYS |
Standard Power MOSFET 标准功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFP250
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFP250A
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Advanced Power MOSFET 先进的功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFP250B
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
200V N-Channel MOSFET 200V N沟道MOSFET |
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IRFP250M
中文翻译 品牌: INFINEON |
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications | ||||
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IRFP250MPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET® Power MOSFET HEXFET®功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFP250N
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss = 200 V, Rds(on)=0.075ohm, Id=30A) 功率MOSFET （ VDSS = 200 V， RDS（ON） = 0.075ohm ，ID = 30A ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 局域网 | ||
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IRFP250NPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 PC 局域网 | ||
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IRFP250PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFP250PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFP250R
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-247
晶体管| MOSFET | N沟道| 200V V（ BR ） DSS | 33A I（ D） | TO- 247\n |
晶体 晶体管 | |||
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IRFP251
中文翻译 品牌: INFINEON |
N-Channel(Hexfet Transistors) N沟道（ HEXFET晶体管） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | |||
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IRFP251
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-Channel Power Mosfets N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | ||
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IRFP251
中文翻译 品牌: IXYS |
High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series 高压功率MOSFET模N沟道增强型高耐用性系列 |
高压 | |||
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IRFP251R
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-247
晶体管| MOSFET | N沟道| 150V V（ BR ） DSS | 33A I（ D） | TO- 247\n |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFP252
中文翻译 品牌: INFINEON |
N-Channel(Hexfet Transistors) N沟道（ HEXFET晶体管） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | |||
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IRFP252
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-Channel Power Mosfets N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | ||
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IRFP252
中文翻译 品牌: IXYS |
High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series 高压功率MOSFET模N沟道增强型高耐用性系列 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 高压 | |||
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IRFP252R
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-247
晶体管| MOSFET | N沟道| 200V V（ BR ） DSS | 27A I（ D） | TO- 247\n |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFP253
中文翻译 品牌: INFINEON |
N-Channel(Hexfet Transistors) N沟道（ HEXFET晶体管） |
晶体 晶体管 | |||
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IRFP253
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-Channel Power Mosfets N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | ||
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IRFP253
中文翻译 品牌: IXYS |
High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series 高压功率MOSFET模N沟道增强型高耐用性系列 |
高压 | |||
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IRFP253R
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-247
晶体管| MOSFET | N沟道| 150V V（ BR ） DSS | 27A I（ D） | TO- 247\n |
晶体 晶体管 | |||
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IRFP254
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss = 250 V, Rds(on)=0.14ohm, Id=23A) 功率MOSFET （ VDSS = 250 V ， RDS（ON） = 0.14ohm ，ID = 23A ） |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFP254
中文翻译 品牌: IXYS |
Standard Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode 标准功率MOSFET - N沟道增强模式 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFP254
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 |