| 型号等于： | DS1220Y (2) |
| 型号起始： | DS1220Y* (14) DS1220Y-* (12) |
| 所属品牌： | 不限 DALLAS(5) ETC(4) MAXIM(4) |
| 功能分类： | 不限 电池(0) 内存集成电路(4) 静态存储器(4) 光电二极管(0) 存储(2) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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DS1220Y-100+
中文翻译 品牌: MAXIM |
存储容量(Mb):16Kb（2K x 8）;内存数据长度(bit):2K ;字编码数(k):2K ;元器件封装:24-EDIP; | 存储 | ||
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DS1220Y-100IND
中文翻译 品牌: MAXIM |
Non-Volatile SRAM Module, 2KX8, 100ns, CMOS, 0.720 INCH,DIP-24 | 静态存储器 内存集成电路 | ||
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DS1220Y-100IND+
中文翻译 品牌: MAXIM |
Non-Volatile SRAM Module, 2KX8, 100ns, CMOS, 0.720 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-24 | 静态存储器 内存集成电路 | ||
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DS1220Y-150+
中文翻译 品牌: MAXIM |
Non-Volatile SRAM Module, 2KX8, 150ns, CMOS, 0.720 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-24 | 静态存储器 内存集成电路 | ||
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DS1220Y-200+
中文翻译 品牌: MAXIM |
Non-Volatile SRAM Module, 2KX8, 200ns, CMOS, 0.720 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-24 | 静态存储器 内存集成电路 | ||
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DS1220Y-200IND+
中文翻译 品牌: MAXIM |
存储容量(Mb):16Kb（2K x 8）;内存数据长度(bit):2K ;字编码数(k):2K ;最大存取时间(ns）:200ns;最小工作电压(V):4.5V;最大工作电压(V):5.5V;元器件封装:24-EDIP; | 存储 |
Total:61
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