品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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APT25GF100BN
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
25A, 1000V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 | 局域网 栅 双极性晶体管 开关 | |||
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APT25GF120JCU2
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
ISOTOP® Boost chopper NPT IGBT SiC chopper diode ISOTOP®升压斩波NPT IGBT斩波的SiC二极管 |
晶体 二极管 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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APT25GLQ120JCU2
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 1200V V(BR)CES | 栅 | ||
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APT25GN120B
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Utilizing the latest Field Stop and Trench Gate technologies 利用最新的场站和沟槽栅技术 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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APT25GN120B2DQ2G
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Power Semiconductors Power Modules 功率半导体功率模块 |
晶体 半导体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 | ||
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APT25GN120BE3
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 67A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, 3 PIN | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | |||
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APT25GN120BG
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Utilizing the latest Field Stop and Trench Gate technologies 利用最新的场站和沟槽栅技术 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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APT25GN120S
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Utilizing the latest Field Stop and Trench Gate technologies 利用最新的场站和沟槽栅技术 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 | ||
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APT25GN120SE3
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 67A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, D3PAK, 3 PIN | 栅 | |||
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APT25GN120SG
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Utilizing the latest Field Stop and Trench Gate technologies 利用最新的场站和沟槽栅技术 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 | ||
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APT25GP120B2D1
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
36A, 1200V, N-CHANNEL IGBT, TMAX-3 | 双极性晶体管 功率控制 | |||
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APT25GP120BDF1
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 69A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | 局域网 栅 瞄准线 功率控制 晶体管 | ||
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APT25GP120BDQ1G
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Power Semiconductors Power Modules 功率半导体功率模块 |
晶体 半导体 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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APT25GP120BG
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Power Semiconductors Power Modules 功率半导体功率模块 |
晶体 半导体 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 局域网 | ||
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APT25GP90BG
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 72A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, 3 PIN | 局域网 栅 瞄准线 功率控制 晶体管 | ||
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APT25GR120B
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Power Semiconductors Power Modules 功率半导体功率模块 |
半导体 | ||
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APT25GR120BD15
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Power Semiconductors Power Modules 功率半导体功率模块 |
半导体 | ||
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APT25GR120BSCD10
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Power Semiconductors Power Modules 功率半导体功率模块 |
半导体 | ||
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APT25GR120S
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Power Semiconductors Power Modules 功率半导体功率模块 |
半导体 | ||
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APT25GR120SD15
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Power Semiconductors Power Modules 功率半导体功率模块 |
半导体 | ||
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APT25GR120SSCD10
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Power Semiconductors Power Modules 功率半导体功率模块 |
半导体 | ||
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APT25GT120BRDL
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Resonant Mode IGBT 谐振模式的IGBT |
晶体 晶体管 电动机控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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APT25GT120BRDLG
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Resonant Mode IGBT 谐振模式的IGBT |
晶体 晶体管 电动机控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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APT25GT120BRDQ2G
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Power Semiconductors Power Modules 功率半导体功率模块 |
晶体 半导体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 局域网 | ||
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APT25GT120BRG
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Power Semiconductors Power Modules 功率半导体功率模块 |
晶体 半导体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 局域网 | ||
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APT25GT120SR
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 54A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, D3PAK-3 | 栅 | |||
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APT25GT120SRG
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 54A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, D3PAK-3 | 栅 功率控制 晶体管 | ||
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APT25M100J
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
N-Channel MOSFET N沟道MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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APT25M100J_09
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
N-Channel MOSFET N沟道MOSFET |
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APT25SM120S
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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