| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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APT25GF100BN
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
25A, 1000V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 | 局域网 栅 双极性晶体管 开关 | |||
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APT25GF120JCU2
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
ISOTOP® Boost chopper NPT IGBT SiC chopper diode ISOTOP®升压斩波NPT IGBT斩波的SiC二极管 |
晶体 二极管 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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APT25GLQ120JCU2
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 1200V V(BR)CES | 栅 | ||
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APT25GLQ120JCU2-Module
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
IGBT 4 fast Low voltage dropLow tail currentLow leakage currentKelvin emitter for easy driveLow st | 双极性晶体管 | |||
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APT25GN120B
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Utilizing the latest Field Stop and Trench Gate technologies 利用最新的场站和沟槽栅技术 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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APT25GN120B
中文翻译 品牌: ADPOW |
IGBT IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 局域网 | |||
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APT25GN120B2DQ2
中文翻译 品牌: ADPOW |
IGBT IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 | |||
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APT25GN120B2DQ2G
中文翻译 品牌: ADPOW |
IGBT IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 | |||
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APT25GN120B2DQ2G
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Power Semiconductors Power Modules 功率半导体功率模块 |
晶体 半导体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 | ||
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APT25GN120BE3
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 67A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, 3 PIN | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | |||
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APT25GN120BG
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Utilizing the latest Field Stop and Trench Gate technologies 利用最新的场站和沟槽栅技术 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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APT25GN120BG
中文翻译 品牌: ADPOW |
IGBT IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 局域网 | |||
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APT25GN120S
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Utilizing the latest Field Stop and Trench Gate technologies 利用最新的场站和沟槽栅技术 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 | ||
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APT25GN120S
中文翻译 品牌: ADPOW |
IGBT IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 | |||
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APT25GN120SE3
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 67A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, D3PAK, 3 PIN | 栅 | |||
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APT25GN120SG
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Utilizing the latest Field Stop and Trench Gate technologies 利用最新的场站和沟槽栅技术 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 | ||
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APT25GN120SG
中文翻译 品牌: ADPOW |
IGBT IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 | |||
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APT25GP120B
中文翻译 品牌: ADPOW |
POWER MOS 7 IGBT 功率MOS 7 IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 栅 局域网 | |||
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APT25GP120B2D1
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
36A, 1200V, N-CHANNEL IGBT, TMAX-3 | 双极性晶体管 功率控制 | |||
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APT25GP120BD1
中文翻译 品牌: ETC |
Volts:1200V VF/Vce(ON):3.6V ID(cont):25Amps|Ultrafast IGBT Family
电压： 1200V VF /的VCE（on ） ： 3.6V ID（续） ： 25安培|超高速IGBT系列\n |
晶体 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 栅 局域网 | |||
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APT25GP120BDF1
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 69A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | 局域网 栅 瞄准线 功率控制 晶体管 | ||
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APT25GP120BDQ1
中文翻译 品牌: ADPOW |
POWER MOS 7 IGBT 功率MOS 7 IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 局域网 | |||
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APT25GP120BDQ1G
中文翻译 品牌: ADPOW |
POWER MOS 7 IGBT 功率MOS 7 IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 栅 局域网 | |||
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APT25GP120BDQ1G
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Power Semiconductors Power Modules 功率半导体功率模块 |
晶体 半导体 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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APT25GP120BG
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Power Semiconductors Power Modules 功率半导体功率模块 |
晶体 半导体 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 局域网 | ||
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APT25GP90B
中文翻译 品牌: ADPOW |
POWER MOS 7 IGBT 功率MOS 7 IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 局域网 | |||
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APT25GP90BDF1
中文翻译 品牌: ADPOW |
POWER MOS 7 IGBT 功率MOS 7 IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 局域网 | |||
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APT25GP90BDQ1
中文翻译 品牌: ADPOW |
POWER MOS 7 IGBT 功率MOS 7 IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 局域网 | |||
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APT25GP90BDQ1G
中文翻译 品牌: ADPOW |
POWER MOS 7 IGBT 功率MOS 7 IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 局域网 | |||
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APT25GP90BG
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 72A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, 3 PIN | 局域网 栅 瞄准线 功率控制 晶体管 |