| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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06035J0R4BBS
中文翻译 品牌: NXP |
Heterostructure Field Effect Transistor (GaAs HFET) | ||||
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06035J0R6BS
中文翻译 品牌: NXP |
Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) | ||||
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06035J0R7BBS
中文翻译 品牌: NXP |
Heterostructure Field Effect Transistor (GaAs HFET) | ||||
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06035J0R8BBS
中文翻译 品牌: NXP |
Heterostructure Field Effect Transistor (GaAs HFET) | ||||
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06035J0R8BS
中文翻译 品牌: NXP |
Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) | ||||
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06035J0R9BS
中文翻译 品牌: NXP |
Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) | ||||
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06035J100GBS
中文翻译 品牌: NXP |
Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) | ||||
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06035J1R8BBS
中文翻译 品牌: NXP |
Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) | ||||
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06035J1R8BS
中文翻译 品牌: NXP |
Gallium Arsenide CATV Integrated Amplifier Module | 有线电视 | |||
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06035J2R0BBS
中文翻译 品牌: NXP |
Heterostructure Field Effect Transistor (GaAs HFET) | ||||
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06035J2R2BBS
中文翻译 品牌: NXP |
Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) | ||||
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06035J2R2BS
中文翻译 品牌: NXP |
Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) | ||||
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06035J2R7BBS
中文翻译 品牌: NXP |
RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier | ||||
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06035J3R9BS
中文翻译 品牌: NXP |
Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) | ||||
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06035J470BBS
中文翻译 品牌: NXP |
Heterostructure Field Effect Transistor (GaAs HFET) | ||||
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06035J5R6BBS
中文翻译 品牌: NXP |
Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) | ||||
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06035J5R6BS
中文翻译 品牌: NXP |
Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) | ||||
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06035J6R8BBS
中文翻译 品牌: NXP |
RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier | ||||
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06035J6R8BS
中文翻译 品牌: NXP |
Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) |
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