| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
 |
 |
IRF610
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.58ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN |
Total:11
总1条记录，每页显示30条记录分1页显示。