型号等于: | IRF610S (6) |
型号起始: | IRF610S* (10) IRF610S,* (1) IRF610SP* (1) IRF610ST* (2) |
所属品牌: | 不限 VISHAY(3) INFINEON(2) MOTOROLA(1) NJSEMI(1) |
功能分类: | 不限 局域网(3) 晶体管(4) 晶体(2) 开关(1) |
品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
![]() |
IRF610S
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 局域网 | |||
![]() |
IRF610S
中文翻译 品牌: NJSEMI |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | 局域网 晶体管 | |||
![]() |
IRF610S
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
2.5A, 200V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 局域网 晶体管 | |||
![]() |
![]() |
IRF610S
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
元器件封装:TO-263; | |||
![]() |
IRF610S, SiHF610S, IRF610L, SiHF610L
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET | ||||
![]() |
IRF610SPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 | |||
![]() |
![]() |
IRF610STRL
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN | |||
![]() |
![]() |
IRF610STRLPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
漏源电压Vdss(V):200V;额定电流Id(A):3.3A (Tc);最大导通阻抗Ron(mΩ):1.5 Ohm @ 2A, 10V;类型:N-Channel;栅极电荷Qg(nC):8.2nC | 栅 栅极 | ||
![]() |
IRF610STRR
中文翻译 品牌: VISHAY |
元器件封装:TO-263; | ||||
![]() |
![]() |
IRF610STRRPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN |
Total:101
总10条记录,每页显示30条记录分1页显示。