型号起始：	IRF9Z* (163) IRF9Z1* (30) IRF9Z2* (85) IRF9Z3* (48)
所属品牌：	不限 INFINEON(99) VISHAY(51) SAMSUNG(7) ETC(2) KERSEMI(2) UMW(2)
功能分类：	不限局域网(2) 开关(2) 脉冲(2) 晶体管(2) 晶体(0) 功率场效应晶体管(0)

IRF9Z - 型号起始 - SAMSUNG; 总记录数：7

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		IRF9Z12 中文翻译品牌: SAMSUNG	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 50V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
		IRF9Z20 中文翻译品牌: SAMSUNG	P-CHANNEL POWER MOSFETs P沟道功率MOSFET
		IRF9Z22 中文翻译品牌: SAMSUNG	Power Field-Effect Transistor, 8.9A I(D), 50V, 0.33ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN	局域网开关脉冲晶体管
		IRF9Z24 中文翻译品牌: SAMSUNG	P-CHANNEL POWER MOSFETs P沟道功率MOSFET
		IRF9Z25 中文翻译品牌: SAMSUNG	Power Field-Effect Transistor, 8.9A I(D), 60V, 0.33ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
		IRF9Z32 中文翻译品牌: SAMSUNG	Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 50V, 0.21ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN	局域网开关脉冲晶体管
		IRF9Z35 中文翻译品牌: SAMSUNG	Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.21ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

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