型号等于：	IRF9Z10 (2) IRF9Z12 (1) IRF9Z14 (2) IRF9Z15 (1)
型号起始：	IRF9Z1* (31) IRF9Z10* (7) IRF9Z12* (2) IRF9Z14* (21) IRF9Z15* (1)
所属品牌：	不限 VISHAY(17) INFINEON(10) ETC(2) SAMSUNG(1) VBSEMI(1)
功能分类：	不限局域网(17) 开关(11) 脉冲(16) 晶体管(21) 晶体(9) 功率场效应晶体管(6)

IRF9Z1 - 型号起始; 总记录数：31

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		IRF9Z10 中文翻译品牌: INFINEON	HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET
		IRF9Z10 中文翻译品牌: VISHAY	Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 50V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN	局域网开关脉冲晶体管
		IRF9Z10-003PBF 中文翻译品牌: INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 50V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,	局域网脉冲晶体管
		IRF9Z10-011PBF 中文翻译品牌: INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 50V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,	局域网脉冲晶体管
		IRF9Z10-013 中文翻译品牌: INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 50V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,	局域网脉冲晶体管
		IRF9Z10PBF 中文翻译品牌: VISHAY	Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 50V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT PACKAGE-	局域网开关脉冲晶体管
		IRF9Z10STRRPBF 中文翻译品牌: INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 50V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,	局域网脉冲晶体管
		IRF9Z12 中文翻译品牌: SAMSUNG	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 50V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
		IRF9Z12-010PBF 中文翻译品牌: INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 50V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET	局域网脉冲晶体管
		IRF9Z14 中文翻译品牌: INFINEON	Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-6.7A) 功率MOSFET （ VDSS = -60V ， RDS（ON） = 0.50ohm ，ID = -6.7A ）
		IRF9Z14 EDA模型中文翻译品牌: VISHAY	Power MOSFET
		IRF9Z14-009 中文翻译品牌: INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB	局域网开关脉冲晶体管
		IRF9Z14-018PBF 中文翻译品牌: VISHAY	Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,	局域网开关脉冲晶体管
		IRF9Z14-029 中文翻译品牌: VISHAY	Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,	局域网开关脉冲晶体管
		IRF9Z14.24.34FPBF 中文翻译品牌: VISHAY	Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,	局域网晶体管
		IRF9Z14.24.34FX 中文翻译品牌: VISHAY	Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,	局域网晶体管
		IRF9Z14.24.34FXPBF 中文翻译品牌: VISHAY	Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
		IRF9Z14L 中文翻译品牌: VISHAY	Power MOSFET 功率MOSFET	晶体晶体管功率场效应晶体管
		IRF9Z14LPBF 中文翻译品牌: VISHAY	Power MOSFET 功率MOSFET
		IRF9Z14PBF 中文翻译品牌: INFINEON	HEXFET Power MOSFET ( VDSS = -60V , RDS(on) = 0.50ヘ , ID = -6.7A ) HEXFET功率MOSFET （ VDSS = -60V ， RDS （ ON） = 0.50ヘ， ID = -6.7A ）	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
		IRF9Z14PBF 中文翻译品牌: VBSEMI	元器件封装:TO-220AB;
		IRF9Z14S 中文翻译品牌: INFINEON	Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-6.7A) 功率MOSFET （ VDSS = -60V ， RDS（ON） = 0.50ohm ，ID = -6.7A ）	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
		IRF9Z14S 中文翻译品牌: VISHAY	Power MOSFET 功率MOSFET	晶体晶体管开关脉冲局域网
		IRF9Z14S, SiHF9Z14S, IRF9Z14L, SiHF9Z14L 中文翻译品牌: VISHAY	Power MOSFET
		IRF9Z14SPBF 中文翻译品牌: VISHAY	Power MOSFET 功率MOSFET
		IRF9Z14STRL 中文翻译品牌: VISHAY	Power MOSFET 功率MOSFET	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
		IRF9Z14STRLPBF 中文翻译品牌: VISHAY	Power MOSFET 功率MOSFET	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
		IRF9Z14STRLPBFA 中文翻译品牌: VISHAY	Power MOSFET
		IRF9Z14STRR 中文翻译品牌: ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 6.7A I(D) \| TO-263AB 晶体管\| MOSFET \| P沟道\| 60V V（ BR ） DSS \| 6.7AI （D ） \| TO- 263AB\n	晶体晶体管开关脉冲局域网
		IRF9Z14STRRPBF 中文翻译品牌: VISHAY	暂无描述	晶体晶体管功率场效应晶体管

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