品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFP130
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFETS N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFP131
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFETS N沟道功率MOSFET |
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IRFP132
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFETS N沟道功率MOSFET |
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IRFP133
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFETS N沟道功率MOSFET |
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IRFP142
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN | |||
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IRFP220
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | ||||
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IRFP221
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | ||||
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IRFP222
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | ||||
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IRFP223
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | ||||
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IRFP230
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFP231
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 150V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFP232
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFP233
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 150V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFP242
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN | |||
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IRFP245
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 250V, 0.34ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN | 局域网 脉冲 晶体管 | ||
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IRFP250
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-Channel Power Mosfets N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFP251
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-Channel Power Mosfets N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | ||
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IRFP252
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-Channel Power Mosfets N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | ||
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IRFP253
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-Channel Power Mosfets N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | ||
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IRFP255
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 250V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFP331
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 350V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFP332
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 400V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFP333
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 350V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFP343
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 350V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFP350
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFETS N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFP351
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFETS N沟道功率MOSFET |
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IRFP352
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFETS N沟道功率MOSFET |
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IRFP353
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFETS N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | ||
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IRFP420
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | ||||
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IRFP421
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |