型号起始: | IRFPC* (31) IRFPC3* (2) IRFPC4* (8) IRFPC5* (11) IRFPC6* (10) |
所属品牌: | 不限 INFINEON(14) VISHAY(13) ETC(4) |
功能分类: | 不限 晶体(16) 晶体管(17) 功率场效应晶体管(10) 开关(13) 脉冲(13) 局域网(13) |
品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFPC30
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdsss=600V, Rds(on)=2.2ohm, Id=4.3A) 功率MOSFET ( Vdsss = 600V , RDS(ON) = 2.2ohm ,ID = 4.3A ) |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFPC32
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 3.9A I(D) | TO-247AC
晶体管| MOSFET | N沟道| 600V V( BR ) DSS | 3.9AI (D ) | TO- 247AC\n |
晶体 晶体管 | |||
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IRFPC40
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=1.2ohm, Id=6.8A) 功率MOSFET ( VDSS = 600V , RDS(ON) = 1.2ohm ,ID = 6.8A ) |
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IRFPC40
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRFPC40-205PBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFPC40PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRFPC40R
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 6.8A I(D) | TO-247
晶体管| MOSFET | N沟道| 600V V( BR ) DSS | 6.8AI (D ) | TO- 247\n |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFPC42
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 5.9A I(D) | TO-247AC
晶体管| MOSFET | N沟道| 600V V( BR ) DSS | 5.9AI (D ) | TO- 247AC\n |
晶体 晶体管 | |||
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IRFPC42R
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 5.9A I(D) | TO-247
晶体管| MOSFET | N沟道| 600V V( BR ) DSS | 5.9AI (D ) | TO- 247\n |
晶体 晶体管 | |||
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IRFPC48
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=0.82ohm, Id=8.9A) 功率MOSFET ( VDSS = 600V , RDS(ON) = 0.82ohm ,ID = 8.9A ) |
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IRFPC48
中文翻译 品牌: VISHAY |
元器件封装:TO-247AC; | |||
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IRFPC50
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=0.60ohm, Id=11A) 功率MOSFET ( VDSS = 600V , RDS(ON) = 0.60ohm ,ID = 11A) |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFPC50
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFPC50A
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=0.58ohm, Id=11A) 功率MOSFET ( VDSS = 600V , RDS(ON)最大值= 0.58ohm ,ID = 11A) |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFPC50A
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFPC50APBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢Power MOSFET HEXFET㈢Power MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFPC50APBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFPC50LC
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=0.60ohm, Id=11A) 功率MOSFET ( VDSS = 600V , RDS(ON) = 0.60ohm ,ID = 11A) |
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IRFPC50LC
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRFPC50LCPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRFPC50LCPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
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IRFPC50PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFPC50PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
漏源电压Vdss(V):600V;额定电流Id(A):11A(Tc);类型:N通道;栅极电荷Qg(nC):140nC @ 10V;最大耗散功率Pd(W):180W(Tc);栅源耐压Vgs(V):4V @ 250µA;最小工作温度(℃):-55°C ;最大工作温度(℃): 150°C;元器件封装:TO | 栅 栅极 | |||
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IRFPC60
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=0.40ohm, Id=16A) 功率MOSFET ( VDSS = 600V , RDS(ON) = 0.40ohm ,ID = 16A) |
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IRFPC60
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRFPC60LC
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=0.40ohm, Id=16A) 功率MOSFET ( VDSS = 600V , RDS(ON) = 0.40ohm ,ID = 16A) |
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IRFPC60LC
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRFPC60LC-P
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFPC60LC-PPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 600V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC, TO-247AC, 3 PIN | ||||
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IRFPC60LCPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 |