型号等于:IRF610 (10) IRF6100 (1) IRF610A (2) IRF610B (1) IRF610C (1) IRF610F (1) IRF610L (1) IRF610N (1) IRF610R (1) IRF610S (3) IRF610T (1) IRF610U (1) IRF610W (1)
型号起始:IRF610* (56) IRF610-* (11) IRF6100* (2) IRF6101* (1) IRF610A* (6) IRF610B* (1) IRF610C* (2) IRF610D* (1) IRF610F* (3) IRF610L* (2) IRF610N* (1) IRF610P* (2) IRF610R* (1) IRF610S* (7) IRF610T* (1) IRF610U* (3) IRF610W* (2)
所属品牌:不限 MOTOROLA(16) VISHAY(16) INFINEON(9) FAIRCHILD(5) NJSEMI(3) INTERSIL(1) SAMSUNG(1)
功能分类:不限 局域网(10) 开关(10) 脉冲(10) 晶体管(10) 晶体(1) 小信号场效应晶体管(0) 功率场效应晶体管(1) PC(1)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
IRF610 EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY
Power MOSFET
功率MOSFET
IRF610-006
中文翻译 品牌: VISHAY
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB 局域网 开关 脉冲 晶体管
IRF610-012
中文翻译 品牌: VISHAY
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB 局域网 开关 脉冲 晶体管
IRF610-015
中文翻译 品牌: VISHAY
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB 局域网 开关 脉冲 晶体管
IRF610-018PBF
中文翻译 品牌: VISHAY
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 局域网 开关 脉冲 晶体管
IRF610-019PBF
中文翻译 品牌: VISHAY
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB 局域网 开关 脉冲 晶体管
IRF610-024
中文翻译 品牌: VISHAY
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB 局域网 开关 脉冲 晶体管
IRF610-024PBF
中文翻译 品牌: VISHAY
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB 局域网 开关 脉冲 晶体管
IRF610-029
中文翻译 品牌: VISHAY
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB 局域网 开关 脉冲 晶体管
IRF610-029PBF
中文翻译 品牌: VISHAY
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB 局域网 开关 脉冲 晶体管
IRF610CHP
中文翻译 品牌: VISHAY
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
IRF610LPBF
中文翻译 品牌: VISHAY
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,
IRF610PBF EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY
Power MOSFET
功率MOSFET
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 PC 局域网
IRF610S EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY
元器件封装:TO-263;
IRF610S, SiHF610S, IRF610L, SiHF610L
中文翻译 品牌: VISHAY
Power MOSFET
IRF610STRL
中文翻译 品牌: VISHAY
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN
IRF610STRLPBF
中文翻译 品牌: VISHAY
漏源电压Vdss(V):200V;额定电流Id(A):3.3A (Tc);最大导通阻抗Ron(mΩ):1.5 Ohm @ 2A, 10V;类型:N-Channel;栅极电荷Qg(nC):8.2nC 栅极
IRF610STRR
中文翻译 品牌: VISHAY
元器件封装:TO-263;
IRF610STRRPBF
中文翻译 品牌: VISHAY
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN
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