型号等于:BC849BW (12)
型号起始:BC849BW* (21) BC849BW,* (2) BC849BW-* (3) BC849BW/* (1) BC849BWE* (2) BC849BWT* (1)
所属品牌:不限 NXP(6) INFINEON(3) PANJIT(2) DIOTEC(1) ETC(1) NEXPERIA(1) TSC(1)
功能分类:不限 晶体(4) 晶体管(6) 放大器(2) 光电二极管(3) 小信号双极晶体管(2) 开关(1) 驱动器(1)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
BC849BW
中文翻译 品牌: NXP
NPN general purpose transistors
NPN通用晶体管
晶体 晶体管
BC849BW
中文翻译 品牌: INFINEON
NPN Silicon AF Transistor (For AF input stages and driver applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage)
NPN硅晶体管自动对焦( AF对
晶体 驱动器 晶体管
BC849BW
中文翻译 品牌: DIOTEC
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
表面贴装硅外延PlanarTransistors
BC849BW
中文翻译 品牌: PANJIT
NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
NPN通用晶体管
晶体 晶体管
BC849BW
中文翻译 品牌: NEXPERIA
NPN general purpose transistorsProduction 放大器 光电二极管 晶体管
BC849BW
中文翻译 品牌: TSC
NPN Transistor
NPN晶体管
晶体 晶体管
BC849BW
中文翻译 品牌: AITSEMI
Polarity : NPN; IC (mA) : 100; VCEO (V) : 30; hFE Min/Max : 200/450; hFE/ IC(mA)/VCE(Volts) : 2/5; VCE(sat) / Max(Volts) : 0.6; VCE(sat) /IC/IB(mA) :
BC849BW
中文翻译 品牌: GWSEMI
Package : SOT-323; Polarity : NPN; Ic (mA) : 100; VCEO (V) : 30; hFE = Min : 200; hFE = Max : 450; hFE = Ic (mA) : 2; hFE = VCE (V) : 5; VCE (sat) = M
Total:81
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