| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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2SK2794CXTB
中文翻译 品牌: RENESAS |
UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET | 放大器 光电二极管 晶体管 | |||
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2SK2794CXUB
中文翻译 品牌: RENESAS |
UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET | 放大器 光电二极管 晶体管 | |||
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2SK3390IXTB-E
中文翻译 品牌: RENESAS |
UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, RP8P, 2 PIN | 放大器 光电二极管 晶体管 | |||
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AFT27S006NT1
中文翻译 品牌: NXP |
Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-2700 MHz, 28.8 dBm Avg., 28 V | 光电二极管 | ||
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ATF-511P8-BLK
中文翻译 品牌: AGILENT |
High Linearity Enhancement Mode 高线性度增强模式 |
晶体 射频场效应晶体管 光电二极管 放大器 | ||
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ATF-511P8-TR2
中文翻译 品牌: AGILENT |
High Linearity Enhancement Mode 高线性度增强模式 |
晶体 射频场效应晶体管 光电二极管 放大器 | ||
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ATF-511P8-TR2G
中文翻译 品牌: AGILENT |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Silicon, N-Channel, High Electron Mobility FET, 2 X 2 MM, 0.75 MM HEIGHT, LPCC-8 | 晶体 射频场效应晶体管 光电二极管 放大器 | ||
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BLC6G20-110
中文翻译 品牌: NXP |
UHF power LDMOS transistor UHF功率LDMOS晶体管 |
晶体 射频场效应晶体管 光电二极管 功效 放大器 局域网 | ||
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BLC6G20LS-110
中文翻译 品牌: NXP |
UHF power LDMOS transistor UHF功率LDMOS晶体管 |
晶体 射频场效应晶体管 光电二极管 功效 放大器 局域网 | ||
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BLC6G22-75
中文翻译 品牌: NXP |
Power LDMOS transistor 功率LDMOS晶体管 |
晶体 射频场效应晶体管 光电二极管 放大器 局域网 | |||
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BLF6G10LS-200
中文翻译 品牌: NXP |
Power LDMOS transistor 功率LDMOS晶体管 |
晶体 射频场效应晶体管 光电二极管 放大器 | |||
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BLF6G10LS-200,112
中文翻译 品牌: NXP |
TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2, FET RF Power | 放大器 光电二极管 晶体管 | ||
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BLF6G10LS-200,118
中文翻译 品牌: NXP |
TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2, FET RF Power | 放大器 光电二极管 晶体管 | ||
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BLF6G10LS-200R
中文翻译 品牌: NXP |
Power LDMOS transistor 功率LDMOS晶体管 |
晶体 射频场效应晶体管 光电二极管 放大器 | |||
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BLF6G10LS-200R,112
中文翻译 品牌: NXP |
UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2 | 放大器 光电二极管 晶体管 | ||
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BLF6G10LS-200R,118
中文翻译 品牌: NXP |
UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2 | 放大器 光电二极管 晶体管 | ||
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CFK2162-P1-000T
中文翻译 品牌: MIMIX |
800 to 900 MHz + 34 dBm Power GaAs FET 800至900兆赫+ 34 dBm的功率GaAs FET |
晶体 射频场效应晶体管 光电二极管 放大器 | ||
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CGH40006S
中文翻译 品牌: CREE |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET, QFN-6 | 放大器 光电二极管 晶体管 | ||
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CGH40006S-TB
中文翻译 品牌: CREE |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET, 3 X 3 MM, PLASTIC, QFN-6 | 放大器 光电二极管 晶体管 | ||
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CLY10E6327
中文翻译 品牌: INFINEON |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, SOT-223, 4 PIN | 放大器 光电二极管 晶体管 | ||
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CLY15
中文翻译 品牌: INFINEON |
GaAs FET (Power amplifier for mobile phones For frequencies from 400 MHz to 2.5 GHz) 砷化镓场效应管（功率放大器为移动电话的频率从400 MHz到2.5 GHz的） |
晶体 放大器 射频场效应晶体管 功率放大器 光电二极管 移动电话 | |||
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DE150-102N02A
中文翻译 品牌: IXYS |
RF Power MOSFET RF功率MOSFET |
晶体 射频场效应晶体管 开关 光电二极管 | |||
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DE275-101N30
中文翻译 品牌: IXYS |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, D2, 6 PIN | 开关 光电二极管 晶体管 | |||
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DE275-102N06A
中文翻译 品牌: IXYS |
RF Power MOSFET RF功率MOSFET |
晶体 射频场效应晶体管 开关 光电二极管 局域网 | |||
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DE275-201N25
中文翻译 品牌: IXYS |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, D2, 6 PIN | 开关 光电二极管 晶体管 | |||
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DE275-501N16A
中文翻译 品牌: IXYS |
RF Power MOSFET RF功率MOSFET |
晶体 射频场效应晶体管 开关 光电二极管 | ||
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DE375-102N12A
中文翻译 品牌: IXYS |
RF Power MOSFET RF功率MOSFET |
晶体 射频场效应晶体管 开关 光电二极管 | ||
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DE375-301N35
中文翻译 品牌: IXYS |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, D4, 6 PIN | 开关 光电二极管 晶体管 | |||
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DE475-102N21A
中文翻译 品牌: IXYS |
RF Power MOSFET RF功率MOSFET |
晶体 射频场效应晶体管 开关 光电二极管 | ||
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IXZ210N50L
中文翻译 品牌: IXYS |
N-Channel Enhancement Mode Linear 175MHz RF MOSFET N沟道增强型线性175MHz的射频MOSFET |
晶体 射频场效应晶体管 光电二极管 放大器 |